4N35GV

功能描述:晶体管输出光电耦合器 Phototransistor Out Single CTR >100%

RoHS:

制造商:Vishay Semiconductors

输入类型:DC

最大集电极/发射极电压:70 V

最大集电极/发射极饱和电压:0.4 V

绝缘电压:5300 Vrms

电流传递比:100 % to 200 %

最大正向二极管电压:1.65 V

最大输入二极管电流:60 mA

最大集电极电流:100 mA

最大功率耗散:100 mW

最大工作温度:+ 110 C

最小工作温度:- 55 C

封装 / 箱体:DIP-4

封装:Bulk

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